CSR8670C-IBBH-R IC 칩 RF TxRx + MCU 블루투스 블루투스 v4.0 2.4GHz 112-VFBGA
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스펙 IXTY08N100D2
| 종류 | 설명 |
| 분류 | 디스크리트 반도체 제품 |
| 트랜지스터 | |
| FET, MOSFET | |
| 단일 FET, MOSFET | |
| Mfr | IXYS |
| 시리즈 | 고갈 |
| 패키지 | 튜브 |
| 제품 상태 | 액티브 |
| FET 타입 | N 채널 |
| 기술 | MOSFET (금속산화물) |
| 소스 전압 (Vdss) | 1000V |
| 전류 - 연속 배수 (Id) @ 25°C | 800mA (Tc) |
| 구동 전압 (최대 RDS ON, 최소 Rds ON) | - |
| Rds ON (Max) @ Id, Vgs | 21Ohm @ 400mA, 0V |
| Vgs(th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 14.6 nC @ 5V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 용량 (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 25V |
| FET 특징 | 소모 모드 |
| 전력 분산 (최대) | 60W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착형 | 표면 마운트 |
| 공급자의 장치 패키지 | TO-252AA |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 |
| 기본 제품 번호 | IXTY08 |
특징IXTY08N100D2
• 정상 켜기 모드
•국제 표준 패키지
• 양형 에포시 는 UL 에 부합 한다94V-0연화성 분류
의 적용IXTY08N100D2
• 음향 증폭기
• 시작 회로
• 보호 회로
• 램프 발전기
• 현행 규제 기관
• 활동적 인 부하
추가 장점IXTY08N100D2
• 설치 가 쉽다
• 공간 절약
• 높은 전력 밀도
환경 및 수출 분류IXTY08N100D2
| 속성 | 설명 |
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 민감도 수준 (MSL) | 1 (무제한) |
| REACH 상태 | REACH 영향을 받지 않습니다 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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