LCMXO2-2000HC-4FTG256C 필드 프로그래밍 가능한 게이트 배열 IC 206 75776 2112 256-LBGA
| 유형 | 설명 |
| 분류 | 융합 회로 (IC) |
| 내장 | |
| FPGA (Field Programmable Gate Array) 를 사용한다. | |
| Mfr | 라티스 반도체 회사 |
| 시리즈 | MachXO2 |
| 포장 | 트레이 |
| LAB/CLB 수 | 264 |
| 논리 요소/셀 수 | 2112 |
| 전체 RAM 비트 | 75776 |
| I/O 수 | 206 |
| 전압 - 공급 | 2.375V ~ 3.465V |
| 장착형 | 표면 마운트 |
| 작동 온도 | 0°C ~ 85°C (TJ) |
| 패키지 / 케이스 | 256-LBGA |
| 공급자의 장치 패키지 | 256-FTBGA (17x17) |
| 기본 제품 번호 | LCMXO2-2000 |
특징LCMXO2-2000HC-4FTG256C
• 유연 한 논리 아키텍처
• 256~6864 LUT4와 18~334 I/O를 가진 6개의 장치
• 초저전력 장치
• 65nm 저전력 프로세스
• 대기 전력 22μW 이하
• 프로그래밍 가능한 낮은 스윙 디퍼셜리얼 I/O
• 대기 모드 및 다른 에너지 절약 옵션
• 임베디드 및 분산 메모리
• 최대 240kbits sysMEMTM 임베디드 블록 RAM
• 최대 54kbits 분산 RAM
• 전용 FIFO 제어 논리
• 칩 내 사용자 플래시 메모리
• 최대 256kbits 사용자 플래시 메모리
• 10만 회 기록
• WISHBONE, SPI, I2C 및 JTAG 인터페이스를 통해 액세스 할 수 있습니다.
• 소프트 프로세서 PROM 또는 플래시 메모리 로 사용할 수 있습니다.
• 사전 설계 된 소스 동기 I/O
• I/O 셀에 있는 DDR 레지스터
• 전용 변속기 로직
• 7:1 디스플레이 I/O를 위한 가이딩
• 일반 DDR, DDRX2, DDRX4
• DQS 지원과 함께 전용 DDR/DDR2/LPDDR 메모리
설명LCMXO2-2000HC-4FTG256C
MachXO2 장치는 두 가지 버전으로 제공됩니다. 초저전력 (ZE) 장치와 고성능 (HC 및 HE) 장치. 초저전력 장치는 세 가지 속도 등급으로 제공됩니다.가장 빠르면 3입니다.마찬가지로, 고성능 장치들은 3개의 속도급으로 제공된다: ¥4, ¥5 및 ¥6, ¥6가 가장 빠르다.
환경 및 수출 분류LCMXO2-2000HC-4FTG256C
| ATTRIBUTE | 설명 |
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 민감도 수준 (MSL) | 3 (168시간) |
| REACH 상태 | REACH 영향을 받지 않습니다 |
| ECCN | 3A991D |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
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